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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.9
- 수록면
- 677 - 684 (8page)
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In this paper, the energy efficiency of a 4H-SiC UMOSFET with a local floating superjunction (LFS UMOSFET) was compared with a conventional P-shielding UMOSFET. For analysis, P-shielding UMOSFET and LFS UMOSFET were modeled for energy loss and junction temperature. As a result, LFS UMOSFET showed switching loss reduction of 20.6%. In addition, it was confirmed that LFS UMOSFET is applied to a 3-phase inverter, resulting in 33.2% lower power efficiency and 28.1% lower junction temperature than P-shielding UMOSFET. Electrical characteristics were simulated using Sentaurus TCAD, and the power circuit was simulated with the modelled UMOSFET using PSIM, a power circuit simulator.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Static characteristic of LFS UMOSFET
Ⅲ. Switching characteristic of LFS UMOSFET
Ⅳ. 3-phase inverter energy efficiency
Ⅴ. Conclusion
References
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
B. J. Baliga / 2008 / Fundamentals of Power Semiconductor Devices / Springer
B. J. Baliga / 2010 / Advanced power MOSFET concepts / Springer
B. J. Baliga / 2006 / Silicon Carbide Power Devices / Springer
R. S. Saxena / 2012 / Advances in Microelectronics and Photonics :1~23
C. Hu / 1999 / A unified gate oxide reliability model / IEEE International Reliability Physics Symposium Proceeding :47~51
B. J. Baliga / 2010 / Advanced power MOSFET concepts / Springer
B. J. Baliga / 2006 / Silicon Carbide Power Devices / Springer
R. S. Saxena / 2012 / Advances in Microelectronics and Photonics :1~23
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