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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.3
- 발행연도
- 2020.6
- 수록면
- 225 - 230 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.3.225
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In this paper, a trench metal oxide semiconductor field-effect transistor (UMOSFET) with source-trench oxide is proposed. The proposed device has a higher breakdown voltage of 274 V compared to the conventional structure. In addition, the electric field is dispersed by the source-trench, and thus, the electric field applied to the gate oxide of the device is reduced to 0.7 MV/cm. This reduction improves the reliability of the device. The onresistance was found to be reduced by 47% when a device with the same breakdown voltage was designed.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. PROPOSED STRUCTURE
III. SIMULATION RESULT AND DISCUSSION
IV. FABRICATION
V. CONCLUSIO
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
B. J. Baliga, “Fundamentals of Power Semiconductor Devices,” USA: Springer, 2008.
C. Hu, Q. Lu, “A Unified Gate Oxide Reliability Model,” in IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, pp. 47-51, mar., 1999.
T. Nakamura, et el., “High Performance SiC Trench Devices with Ultra-low Ron,” in International Electron Device Meeting, IEEE, pp. 599-601, Dec., 2011.
C. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito, and M. Vanzi, A Physically Based Mobility Model for Numerical Simulation of Nonplanar Devices, IEEE Trans. Computer-Aided Design, Vol. 7, pp. 1164?1171, 1988.
T. Hatakeyama, J. Nishio, C. Ota, and T. Shinohe, “Physical modeling and scaling properties of 4HSiC power devices,” in Proc. SISPAD, Tokyo, Japan, pp. 171?174, 2005.
C. Hu, Q. Lu, “A Unified Gate Oxide Reliability Model,” in IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, pp. 47-51, mar., 1999.
T. Nakamura, et el., “High Performance SiC Trench Devices with Ultra-low Ron,” in International Electron Device Meeting, IEEE, pp. 599-601, Dec., 2011.
C. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito, and M. Vanzi, A Physically Based Mobility Model for Numerical Simulation of Nonplanar Devices, IEEE Trans. Computer-Aided Design, Vol. 7, pp. 1164?1171, 1988.
T. Hatakeyama, J. Nishio, C. Ota, and T. Shinohe, “Physical modeling and scaling properties of 4HSiC power devices,” in Proc. SISPAD, Tokyo, Japan, pp. 171?174, 2005.
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