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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제32권 제5호
발행연도
2019.1
수록면
366 - 370 (5page)

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본 논문에서는 전력손실 감소와 소자의 신뢰성을 위하여 낮은 온-상태 전압강하(Vce-sat)과, 높은 항복전압(Breakdown Voltage)을 구현하고자 Single N+ Emitter Trench Gate type IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자에 대하여 T-CAD를 이용하여 새로운 구조 연구를 하였다. Trench gate의 깊이(Depth)와 이온주입(Implant) 후의 확산공정(Drive-in)에서 온도(Temp)와 시간(Time)의 변화에 따른 Simulation을 통해 문턱전압, 항복전압, 온-상태 전압강하 전기적 특성에 대한 연구를 하였다. Drive-in 공정시 동일한 150분의 시간에 온도를 1,000 ~ 1160℃ 까지 20℃씩 변하 시킨 결과 문턱전압이 1 ~ 4V, 온-상태 전압강하가 2,4 ~ 2.6V로 변화하는 결과를 얻을 수 있었다. Trench depth가 3.5 ~ 7.5 um 까지 0.5 um씩 변화시킨 결과 항복전압은 802 ~ 692V까지 낮아지는 결과를 얻을 수 있었다.

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B. J. Baliga / 1996 / Power Semiconductor Devices / PWS Publishers :737 google schola 강이구 / 2010 / 2500 V급 NPT-IGBT소자의 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23(4):273~279 dbpia 이종석 / 2006 / 트랜치 에미터 전극을 이용한 수직형 NPT 트랜치 게이트 IGBT의전기적 특성 향상 연구 / 전기전자재료학회논문지 19(10):912~917 dbpia Y. S. Koo / 2013 / J. Korean Inst. Inf. Electron. Commun. Technol 6:168 Crossref 조유습 / 2012 / 트렌치 게이트를 이용한 Floating Island IGBT의 전기적 특성에 관한 고찰 / 전기전자재료학회논문지 25(4):247~252 dbpia

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