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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제9호
발행연도
2016.1
수록면
523 - 526 (4page)

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본 논문에서는 신재생에너지의 분산 발전 및 산업용 인버터에 사용되는 1,200 V급 플로팅 아일랜드 IGBT를 제안하여 항복전압, 문턱전압 및 온 상태 전압강하 등과 같은 전기적인 특성에 있어서 일반 NPT IGBT와 비교 분석하였다. 전기적인 특성을 분석한 결과 항복전압과 문턱전압은 두 소자 모두 각각 1,450 V, 4.0 V의 값을 얻을 수가 있었으며, 크게 변화가 없음을 알 수 있었다. 반면에 온 상태 전압 강하에 있어서는 기존의 일반 IGBT 소자는 4.6 V인데 반하여, 제안한 플로팅 아일랜드 구조는 3.75 V로 약 0.95 V의 감소를 가져왔으며, 23%의 효율 향상을 가져온 것을 알 수 있었다.
#Planar gate #Floating island #NPT IGBT #Breakdown voltage #On-state voltage drop

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2000 / MOSFET Basics - Fairchild Semiconductor google schola 심관필 / 2013 / 80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 26(3):190~193 dbpia P. J. Verlinden / 1994 / Proc. 12th EC Photovoltaic Solar Energy Conference :1304 google schola 남태진 / 2011 / Al₂O₃ 게이트 절연막을 이용한 GaN Power MOSFET의 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 24(9):713~717 dbpia 이정훈 / 2012 / Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):270~275 dbpia

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