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논문 기본 정보

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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제11호
발행연도
2016.1
수록면
681 - 684 (4page)

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본 논문에서는 산업용 인버터, 가전 및 전기자동차용에 가장 많이 활용되고 있는 1200V급의 다양한 IGBT소자들에서 대해서 전기적 특성을 비교 분석하였다. 본 연구에서 진행된 소자는 플래나 게이트 구조의 IGBT, 트렌치 게이트 구조의 IGBT 및 플래나와 트렌치의 구조를 혼합한 듀얼게이트 구조의 IGBT 소자이며, 각각의 소자들에 대해서 같은 설계 및 공정변수를 이용하여 설계 및 실험을 진행하였다. 실험을 진행한 결과 항복전압은 트렌치 게이트 IGBT가 1473V의 우수한 결과를 가져올 수 있었으며, 온 상태 전압강하값은 듀얼게이트 IGBT 구조가 상대적으로 3.084V의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 또한 듀얼게이트 IGBT구조의 항복전압도 트렌치 게이트보다 낮지만 비교적 안정적인 값을 도출할 수 있었다. 최근의 가장 이슈가 되는 전력소모적인 측면에서는 듀얼 게이트 IGBT가 상당히 효과적인 것을 알 수 있었다.
#Planar gate #Trench gate #Dual gate #High breakdown voltage #On state voltage drop

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E. G. Kang / 2002 / J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng 15:758 google schola 이재인 / 2010 / 트렌치 콜렉터를 가지는 새로운 TIGBT 에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23(3):190~193 dbpia T. Laska / 2000 / ISPSD Proceedings 355 Crossref 안병섭 / 2012 / 고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(3):187~192 dbpia J. S. Lee / 2008 / Microelectronics Journal 39:57 Crossref

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