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논문 기본 정보

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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제33권 제2호
발행연도
2020.1
수록면
105 - 108 (4page)

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본 논문에서는 게이트와 게이트 사이의 에미터 셀피치를 2.5 um로 줄인 Field Stop IGBT를 최적화 설계하는데 있어서 결과적으로 표 2와 같은 파라미터가 도출되었다. 문턱전압은 P-베이스의 깊이와 농도에 직결되는 것을 확인하였고, 항복전압은 웨이퍼 전체 두께 , 비저항도와 Field Stop의 경우 N-버퍼의 임플란트 도우즈양에 따라 달라지는 것을 확인할 수 있었다. 온 상태 전압강하 특성은 주로 P-컬렉터의 임플란트 도우즈 양에 따른 영향을 받는 것을 확인할 수 있었으며, 향후 Fine Pitch 또는 온 전압강하 값이 작은 고전압 IGBT 소자 개발 시, 충분히 활용 가능 할것으로 판단된다.

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참고문헌 (5)

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안병섭 / 2012 / 고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(3):187~192 dbpia 금종민 / 2012 / 1,200 V급 Trench Gate Field Stop IGBT 소자의 전기적 특성 향상 방안에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):253~260 dbpia 남태진 / 2012 / Trench Gate를 이용한 Field Stop IGBT의 전기적 특성 분석에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):266~269 dbpia 강이구 / 2016 / 다양한 게이트 구조에 따른 IGBT 소자의 전기적 특성 비교 분석 연구 / 전기전자재료학회논문지 29(11):681~684 dbpia 강이구 / 2018 / 1 um 미만의 나노트렌치 게이트 구조를 갖는 1,200 V 고효율 트렌치 게이트 필드스톱 IGBT 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 31(4):208~211 dbpia

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