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이주환 (현대오트론) 강민기 (현대오트론) 박태영 (현대오트론) 김태양 (현대오트론) 김영준 (현대오트론) 우재혁 (현대오트론)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2020.8
수록면
157 - 162 (6page)

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xEV(HEV, PHEV, FCEV, EV, etc.) market is rapidly increasing and these have been expanded to apply to heavy vehicles. IGBTs are adapted as key components for driving motors in automotive inverter systems. As system requirements increase, in high power devices(such as automotive IGBTs), solving the switching instability called NGC(Negative Gate Capacitance) is a major challenge. In this paper, we introduce the new unit cell structure of IGBT that overcomes NGC effects. The new structure has low resistance and switching loss. Above all, it is adjustable to the ratio of input capacitance without side effects for optimizing the system.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 구현
IV. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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