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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.5
- 수록면
- 208 - 211 (4page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.4.208
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This paper details the design of a 1,200 V class trench gate field stop IGBT (insulated gate bipolar transistor)with a nano gate structure smaller than 1 um. Decreasing the size is important for lowering the cost and increasing theefficiency of power devices because they are high-voltage switching devices, unlike memory devices. Therefore, in thispaper, we used a 2-D device and process simulations to maintain a gate width of less than 1 um, and carried outexperiments to determine design and process parameters to optimize the core electrical characteristics, such as breakdownvoltage and on-state voltage drop. As a result of these experiments, we obtained a wafer resistivity of 45 Ω?cm, a driftlayer depth of more than 180 um, an N+ buffer resistivity of 0.08, and an N+ buffer thickness of 0.5 um, which areimportant for maintaining 1,200 V class IGBTs. Specially, it is more important to optimize the resistivity of the waferthan the depth of the drift layer to maintain a high breakdown voltage for these devices.
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E. G. Kang / 2002 / J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng. 15:758
이재인 / 2010 / 트렌치 콜렉터를 가지는 새로운 TIGBT 에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23(3):190~193
T. Laska / 2000 / Proc. 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings :355
안병섭 / 2012 / 고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(3):187~192
J. S. Lee / 2008 / Microelectron. J. 39:57
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