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저자정보
김상기 (ETRI) 박훈수 (Uiduk Uiversity) 원종일 (ETRI) 구진근 (ETRI) 노태문 (ETRI) 양일석 (ETRI) 박종문 (ETRI)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제20권 제3호
발행연도
2016.9
수록면
220 - 225 (6page)

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본 논문은 전류 센싱 FET가 내장되어 있고 온-저항이 낮으며 고전류 구동이 가능한 트렌치 게이트 고 전력 MOSFET를 제안하고 전기적 특성을 분석하였다. 트렌치 게이트 전력 소자는 트렌치 폭 0.6 ㎛, 셀 피치 3.0 ㎛로 제작하였으며 내장된 전류 센싱 FET는 주 전력 MOSFET와 같은 구조이다. 트렌치 게이트 MOSFET의 집적도와 신뢰성을 향상시키기 위하여 자체 정렬 트렌치 식각 기술과 수소 어닐링 기술을 적용하였다. 또한, 문턱전압을 낮게 유지하고 게이트 산화막의 신뢰성을 증가시키기 위하여 열 산화막과 CVD 산화막을 결합한 적층 게이트 산화막 구조를 적용하였다. 실험결과 고밀도 트렌치 게이트 소자의 온-저항은 24 mΩ, 항복 전압은 100 V로 측정되었다. 측정한 전류 센싱 비율은 약 70 정도이며 게이트 전압변화에 대한 전류 센싱 변화율은 약 5.6 % 이하로 나타났다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 구조 및 제작
Ⅲ. 전기적 특성 분석
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (8)

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