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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제4호
- 발행연도
- 2017.8
- 수록면
- 195 - 198 (4page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.4.195
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This research analyzed the electrical characteristics of an 80 V optimal trench power MOSFET (metal oxide field effecttransistor) for mobile applications. The power MOSFET is a fast switching device in fields with low voltage(<100 V) such asmobile application. Moreover, the power MOSFET is a major carrier device that is not minor carrier accumulation when thedevice is turned off. We performed process and device simulation using TCAD tools such as MEDICI and TSUPREM. Theelectrical characteristics of the proposed trench gate power MOSFET such as breakdown voltage and on resistance werecompared with those of the conventional power MOSFET. Consequently, we obtained breakdown voltage of 100 V and low onresistance of 130 mΩ. The proposed power MOSFET will be used as a switch in batteries of mobile phones and note books.
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심관필 / 2013 / 80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 26(3):190~193
T. Laska / 2000 / Proc. The 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs :355
홍영성 / 2012 / 600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):276~281
이정훈 / 2012 / Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):270~275
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