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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.2
- 수록면
- 63 - 66 (4page)
- DOI
- http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.2.63
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본 논문에서는 소용량(100V 이하)이면서 고속 동작에 응용되는 차세대 전력반도체 소자로 차폐형 트렌치 게이트 전력 MOSFET소자를 TCAD 툴을 이용하여 최적 도출된 설계 및 공정파라미터를 가지고 구조적으로 설계한 다음, 기존의 트렌치 게이트 전력 MOSFET소자와 전기적인 특성을 비교 분석하였다. 전력반도체 소자의 핵심 특성인 항복전압 특성에서는 두소자 모두 120V 내외의 항복전압을 갖는 것으로 나타나 크게 변하지 않음을 보여주지 않고 있지만, 휴대폰 배터리용 전력 반도체 소자의 특성중의 하나인 문턱전압특성에서는 기존의 트렌치 전력 MOSFET소자와 턴온 전압은 유사하지만 그때 흐르는 전류 특성이 크게 향상된 것으로 보여주었다. 부가적으로 차폐형 산화막 두께에 따른 온 저항 특성을 분석하였으며, 산화막 두께는 0.3㎛에서 최적의 값을 얻을 수가 있었다.
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undefined / 2002 / A Novel Lateral Trench Electrode IGBT for Suprior Electrical Characteristics / Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 15(9):758~763
남태진 / 2011 / Al₂O₃ 게이트 절연막을 이용한 GaN Power MOSFET의 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 24(9):713~717
A. Malvino / 2006 / Electronic Principles / McGraw-Hill College
E. Gates / 2001 / Introduction to Electronics / Cengage Learning
경신수 / 2009 / 고전압 전력소자를 보호하기 위한 Sense FET 설계방법 / 전기전자재료학회논문지 22(1):12~16
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E. Gates / 2001 / Introduction to Electronics / Cengage Learning
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