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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제5호
발행연도
2016.1
수록면
302 - 305 (4page)

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In this paper, a low on-resistance and high current driving capability trench gate power metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor (MOSFET) incorporating a current sensing feature is proposed and evaluated. In order torealize higher cell density, higher current driving capability, cost-effective production, and higher reliability, selfalignedtrench etching and hydrogen annealing techniques are developed. While maintaining low threshold voltageand simultaneously improving gate oxide integrity, the double-layer gate oxide technology was adapted. The trenchgate power MOSFET was designed with a 0.6 μm trench width and 3.0 μm cell pitch. The evaluated on-resistanceand breakdown voltage of the device were less than 24 mΩ and 105 V, respectively. The measured sensing ratio wasapproximately 70:1. Sensing ratio variations depending on the gate applied voltage of 4 V ~ 10 V were less than 5.6%.
#Power MOSFET #Trench gate MOSFET #Current sensing FET #Current sensing ratio #Trench etching

목차

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참고문헌 (8)

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N. Zhao / 2012 / Digest of Analog Dialogue 44:1 google schola Hai-Feng Jin / 2010 / High Performance Current Sensing Circuit for Current-Mode DC-DC Buck Converter / Transactions on Electrical and Electronic Materials 11(1):24~28 dbpia Y. Xiao / 2005 / Proc. of Applied Power Electronics Conference and Exposition :766 google schola J. D. Kim / 2003 / IEEE Trans. Electron Devices ED-50:378 google schola 김상기 / 2012 / A Novel Trench Gate MOSFET with a Multiple-layered Gate Oxide for High-reliability Operation / Journal of the Korean Physical Society 60(10):1552~1556 Crossref

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