지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.8
- 수록면
- 1,339 - 1,343 (5page)
- DOI
- 10.5370/KIEE.2024.73.8.1339
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
SiC double trench MOSFETs have the advantage of generating a deep P+ layers through the trench source, effectively mitigating electric field crowding at the bottom edge of the gate oxide. However, the depletion region induced by the deep P+ layers narrows the current path between the gate and P+, resulting in an increase in the on-resistance. In this study, we addressed this problem by introducing CSLs through ion implantation in the 1.2 kV SiC double trench MOSFETs. CSL concentration optimization resulted in a 3.92 % decrease in on-resistance and a 3.19 % increase in the figure of merit. Therefore, the SiC double trench MOSFET with optimized CSL concentration has improved on-resistance characteristics and figure of merit compared to the conventional structure.
목차
Abstract
1. 서론
2. 시뮬레이션 방법 및 제안 구조
3. 시뮬레이션 결과
4. 결론
References
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
1.2 kV 급 SiC Trench MOSFET의 게이트 산화막에서의 전계 집중 현상 억제를 위한 설계
전기학회논문지
2022 .11
-
1.2 kV급 SiC Trench MOSFET 게이트 산화막에서의 전계 집중 현상 억제를 위한 설계
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .07
-
1.2 kV 급 SiC trench MOSFET의 항복전압 향상을 위한 설계
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .10
-
4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화
전기전자학회논문지
2018 .12
-
1200V급 4H-SiC Trench MOSFET의 Design parameter에 따른 전기적 특성 분석
전기전자학회논문지
2020 .06
-
TCAD 시뮬레이션을 이용한 다양한 변수에 따른 4H-SiC Trench MOSFET 특성 변화 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2018 .10
-
TCAD 시뮬레이션을 이용한 다양한 변화에 따른 4H-SiC Trench MOSFET 특성 변화 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2019 .07
-
1200V급 SiC 기반 트렌치 게이트 MOSFET의 전기적 특성에 관한 연구
전기전자학회논문지
2023 .03
-
3.3kV SiC 전력 MOSFET의 최적화에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .07
-
TCAD 시뮬레이션을 이용한 공정 변수에 따른 4H-SiC Trench MOSFET 정특성 변화 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2019 .10
-
Trench Shield 구조를 갖는 3.3kV급 저저항 4H-SiC DMOSFET
전기전자학회논문지
2020 .06
-
SiC Mosfet’s Application
전력전자학회 학술대회 논문집
2018 .07
-
Investigation of the Layout and Optical Proximity Correction Effects to Control the Trench Etching Process on 4H-SiC
Electronic Materials Letters
2017 .01
-
공정 산포에 강한 1.2 kV급 SiC MOSFET 설계
전기학회논문지
2022 .06
-
High Breakdown Voltage and Low On-resistance 4H-SiC UMOSFET with a Source-trench Oxide Structure
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .06
-
High-Current Trench Gate DMOSFET Incorporating Current Sensing FET for Motor Driver Applications
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2016 .01
-
게이트 버퍼 산화막을 활용한 1.2 kV SiC MOSFET 구조 개선 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .07
-
Analysis of Electrical Characteristics According to Fabrication of 500 V Unified Trench Gate Power MOSFET
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2016 .01
-
1,200V SiC 전력 MOSFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .07
-
스위칭 손실을 줄인 1700 V 4H-SiC Double Trench MOSFET 구조
전기전자학회논문지
2021 .03
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-151-24-02-090651464