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본 논문에서는 CDT(Conventional Double Trench) MOSFET보다 스위칭 시간과 손실이 적은 1700 V EPDT(Extended P+ shielding floating gate Double Trench) MOSFET 구조를 제안하였다. 제안한 EPDT MOSFET 구조는 CDT MOSFET 에서 소스 Trench의 P+ shielding 영역을 늘리고 게이트를 N+와 플로팅 P<SUP>-</SUP> 폴리실리콘 게이트로 나누었다. Sentaurus TCAD 시뮬레이션을 통해 두 구조를 비교한 결과 온 저항은 거의 차이가 없었으나 Crss(게이트-드레인 간 커패시턴스)는 게이트에 0 V 인가 시에는 CDT MOSFET 대비 32.54 % 줄었고 7 V 인가 시에는 65.5 % 감소하였다. 결과적으로 스위칭 시간 및 손실은 각각 45 %, 32.6 % 줄어 스위칭 특성이 크게 개선되었다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
Huang Runhua / 2015 / Design and fabrication of a 3.3 kV 4H-SiC MOSFET / Journal of Semiconductors, 36(9):2015
B. J. Baliga / 2006 / Silicon Carbide Power Devices / World Scientific
Q. Song / 2016 / 4H-SiC Trench MOSFET With L-Shaped Gate / IEEE Electron Device Letters 37(4):2016
Xiaorong Luo / 2019 / A novel 4H-SiC trench MOSFET with double shielding structures and ultralow gate-drain charge / Journal of Semiconductors 40(5):2019
Madankumar Sampath / 2018 / Comparison of Single-and Double-Trench UMOSFETs in 4H-SiC / Materials Science Forum 924:752~755
B. J. Baliga / 2006 / Silicon Carbide Power Devices / World Scientific
Q. Song / 2016 / 4H-SiC Trench MOSFET With L-Shaped Gate / IEEE Electron Device Letters 37(4):2016
Xiaorong Luo / 2019 / A novel 4H-SiC trench MOSFET with double shielding structures and ultralow gate-drain charge / Journal of Semiconductors 40(5):2019
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