트렌치 콜렉터를 가지는 새로운 TIGBT 에 관한 연구

이재인; 양성민; 배영석; 성만영

추천

검색

자료유형: 학술저널

저자정보: 이재인 양성민 배영석 성만영

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제3호

발행연도: 2010.1

수록면: 190 - 193 (4page)

이용수

📌

연구주제

📖

연구배경

🔬

연구방법

🏆

연구결과

초록· 키워드

오류제보하기

Various power semiconductor devices have been developed and evolved since 1950s. Among them, IGBT is the most developed power semiconductor device which has high breakdown voltage, high current conduction and suitable switching speed which perform trade-offs between each other. In other words, there are trade-offs between a breakdown voltage and on-state voltage drop, and between on-state voltage drop and turn-off time. In this paper, the new structure is proposed to improve a trade-off between a breakdown voltage and on-state voltage drop. The proposed structure has a trench collector and this trench collector induces an accumulation layer at the bottom of an n-drift region during off-state. And this accumulation layer prevents expansion of depletion layer so that trapezoidal electric field distribution is performed in the n-drift region. As a result of this, breakdown voltage is increased without increasing on-state voltage drop. The electrical characteristics of the proposed IGBT is analyzed and optimized by using representative device simulator, TSUPREM4 and MEDICI. After optimization, the electrical characteristics of the proposed IGBT is compared with NPT IGBT which have the same device thickness. As a result of this, it can be confirmed that the proposed structure increases the breakdown voltage of 800 V than that of the conventional NPT IGBT without increasing the on-state voltage drop.

#TIGBT #Trench collector #Breakdown voltage #On-state voltage drop

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

B. J. Baliga / 1996 / Power semiconductor devices / PWS Publishing Company : 426 ~

G. Majumdar / 2007 / Recent and future IGBT evolutiojn / Power Conversion Conference Proc : 335 ~

J.-S. Lee / 2008 / Shielding region effects on a trench gate IGBT / Microelectronics Journal 39 (1) : 57 ~

S. Kyoung / 2009 / A novel trench IGBT with a deep P+ layer beneath the trench emitter / IEEE Electron Device Letters 30 (1) : 82 ~

V. K. Khanna / 2003 / IGBT theory and design / John Wiley & Sons : 229 ~

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이재인

소속기관 한국전기전자재료학회

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 1 이용수 0

양성민

소속기관 한국전기전자재료학회

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 3 이용수 3

배영석

소속기관 한국전기전자재료학회

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 3 이용수 3

성만영

소속기관 한국전기전자재료학회

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 37 이용수 111

최근 본 자료

전체보기

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	원문	원문 PDF 파일
AI 학습용 데이터	원문 + 메타 (기본/상세)	원문 PDF 파일 및 서지정보 CSV
대량 구매용 데이터	B2B 구독 방식	특정 자료 한정으로 원문 접근 권한 부여
대량 구매용 데이터	URL 전달 방식	바로 PDF 뷰어를 열람할 수 있는 URL 제공

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	기본 메타	발행기관명, 간행물명, 권호명, 권(vol), 호(issue), 통권, 발행연도, 발행월, 논문명, 저자명, 시작페이지, 종료페이지, 전체페이지, 상세페이지URL
상세 메타 데이터	발행기관 메타	발행기관 이명, 영문명, 창립연도, 홈페이지URL, 발행기관 소개
	간행물 메타	부제목, 간행물 유형, ISSN, ISBN, 최초발행연도, 폐간연도, 간행빈도, 발행주기, 등재사항, 이용수, 피인용수, 권호수, 논문수, 표지이미지
	논문 메타	작성 언어, 부제목, 대등제목, 목차, 키워드, 초록, 이미지, 참고문헌, 이용수, 피인용수, 논문활용도, DBpia통합주제분류, KDC분류, DDC분류, 한국연구재단분류, UCI, DOI
	저자 메타	소속기관, 소속부서, 직급, 연구분야, 연구키워드, 이용수, 피인용수, 저자 논문활용도

구분	그룹	데이터 항목
※ 결합형/맞춤형 메타 데이터는 신청 내용에 따라 다양하게 제공 가능
이용순위 정보	주제분야별 많이 이용된 논문	“인문학”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	이용기관별 많이 이용된 논문	“중고등학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	세부기관별 많이 이용된 논문	“서울대학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	키워드별 많이 이용된 논문	“Chat GPT”에서 많이 이용된 논문 TOP100
키워드 정보	많이 이용된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 이용된 키워드
	많이 발행된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 발행된 키워드
	많이 검색된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 검색된 키워드
	연구 트렌드 키워드	특정 키워드 연관 연구동향 분석 데이터 키워드

논문 기본 정보

초록· 키워드

AI 요약

연구주제

연구배경

연구방법

연구결과

주요내용

목차

참고문헌 (6)

함께 읽어보면 좋을 논문

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

댓글(0)