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신사무엘 (서경대학교) 손정만 (서경대학교) 구용서 (서경대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2007년도 추계학술대회 논문집Ⅱ
발행연도
2007.11
수록면
323 - 324 (2page)

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This study is presented about electrical characteristics of 2500V planar gate IGBT The breakdown voltage and saturation voltage (Vce, sat) according to variations of gate length, emitter window region, and drift region depth were simulated using 2D sim^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE06324802');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
#IGBT #Breakdown voltage #Power Device

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