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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 912 - 917 (6page)
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In this paper, Trench emitter electrode IGBT structure is proposed and studied numerically using the device simulator, MEDICI. The breakdown voltage, on-state voltage drop, latch up current density and turn-off time of the proposed structure are compared with those of the conventional trench gate IGBT(TIGBT) structures. Enhancement of the breakdown voltage by 19 % is obtained in the proposed structure due to dispersion of electric field at the edge of the bottom trench gate by trench emitter electrode. In addition, the on-state voltage drop and the latch up current density are improved by 25 %, 16 % respectively. However increase of turn-off time in proposed structures are negligible.
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/ 1996. / Optimizing the vertical IGBT structure - The NPT concept as the most economic and electrically ideal solution for a 1200V-IGBT : 169 ~
/ 1996. / Power Semiconductor Devices : 54 ~
/ 1999. / 1.2 kV trench insulated gate bipolar transistors with ultralow on-resistance 20 (8) : 428 ~
/ 2000. / Study on new LIGBT with multi gate for high speed and improving latch up effect 13 (5) : 371 ~
/ 2001. / A new trench electrode IGBT having superior electrical characteristics for power IC systems 32 : 641 ~
/ 1996. / Power Semiconductor Devices : 54 ~
/ 1999. / 1.2 kV trench insulated gate bipolar transistors with ultralow on-resistance 20 (8) : 428 ~
/ 2000. / Study on new LIGBT with multi gate for high speed and improving latch up effect 13 (5) : 371 ~
/ 2001. / A new trench electrode IGBT having superior electrical characteristics for power IC systems 32 : 641 ~
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