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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 889 - 895 (7page)
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This paper presents a comprehensive mathematical analysis and simulation of trench IGBT with the help of PIN-PNP combinational model. Since trench IGBT is characteristically influenced by PIN diode, it may be almost impossible to analyze the trench IGBT using PNP-MOS modeling methods, even PIN-MOS techniques which neglect the hole current components coming into p-base region. A new PIN-PNP complementary cooperational model is developed in order to make up the drawbacks of existing models. It would allow us to make qualitative analysis as well as simulation about switching and on-state characteristics of 1,700 V trench IGBT. Moreover, if we improve the PIN diode effects through the optimization of trench structure, trench IGBT is expected to be one of the most promising devices in the not only high-voltage but also high speed switching device field.
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Berz, F. / 1977 / A simplified theory of the p-i-n diode / Solid St. Electronics 20 : 709 ~
Chang, H.R. / 1989 / “500-V n- channel insulated-gate bipolar transistor with a trench gate structure”, IEEE Trans. Electron Device, ED-36, p. 1824, 1989
E.G. Kang / 2000 / Study on new LIGBT with multi gate for high speed and improving latch up effect / J. KIEEME(in Korean) 13 (5) : 371 ~
E.G. Kang / 2001 / A new trench electrode IGBT having superior electrical characteristics for power IC systems / Microelectronics J 32 : 641 ~
E.G. Kang / 2002 / A small sized lateral trench electrode IGBT for improving latch-up and breakdown characteristics / Solid State Electronics 46 : 295 ~
Chang, H.R. / 1989 / “500-V n- channel insulated-gate bipolar transistor with a trench gate structure”, IEEE Trans. Electron Device, ED-36, p. 1824, 1989
E.G. Kang / 2000 / Study on new LIGBT with multi gate for high speed and improving latch up effect / J. KIEEME(in Korean) 13 (5) : 371 ~
E.G. Kang / 2001 / A new trench electrode IGBT having superior electrical characteristics for power IC systems / Microelectronics J 32 : 641 ~
E.G. Kang / 2002 / A small sized lateral trench electrode IGBT for improving latch-up and breakdown characteristics / Solid State Electronics 46 : 295 ~
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