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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제5호
발행연도
2007.1
수록면
403 - 409 (7page)

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In this paper, effects of the trench angle() on the breakdown voltage according to the process parameters of p-base region and doping concentrations of n-drift region in a Trench Gate IGBT (TIGBT) device were analyzed by computer simulation. Processes parameters used by variables are diffusion temperature, implant dose of p-base region and doping concentration of n-drift region, and aspects of breakdown voltage change with change of each parameter were examined. As diffusion temperature of the p-base region increases, depth of the p-base region increases and effect of the diffusion temperature on the breakdown voltage is very low in the case of small trench angle(45°) but that is increases 134.8 % in the case of high trench angle(90°). Moreover, as implant dose of the p-base region increases, doping concentration of the p-base region increases and effect of the implant dose on the breakdown voltage is very low in the case of small trench angle(45°) but that is increases 232.1 % in the case of high trench angle(90°). These phenomenons is why electric field concentrated in the trench is distributed to the p-base region as the diffusion temperature and implant dose of the p-base increase. However, effect of the doping concentration variation in the n-drift region on the breakdown voltage varies just 9.3 % as trench angle increases from 45° to 90°. This is why magnitude of electric field concentrated in the trench changes, but direction of that doesn't change. In this paper, respective reasons were analyzed through the electric field concentration analysis by computer simulation.
#Insulated gate bipolar transistor #IGBT #Breakdown voltage #Trench #Trench gate IGBT

목차

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B. Jayant Baliga / 1984 / The insulated gate transistor: a new three- terminal MOS-controlled bipolar power device / Trans. on Electron Devices 31 (6) : 821 ~ google schola D. W. Kim / 2003 / A dual trench gate emitter switched thyristor (DTG-EST) with dual trench gate electrode and different gate oxide thickness / Microelectronic Engineering 70 google schola E. G. Kang / 2002 / A small sized lateral trench electrode IGBT for improving latch-up and breakdown characteristics / Solid-State Electronics 46 (2) : 295 ~ google schola E. G. Kang / 2002 / The electrical characteristics of the fabricated lateral trench electrode IGBT for intelligent power IC / International Journal for Manufacturing Science google schola M. Nemoto / 1999 / The recessed- gate IGBT structure / proc. of the ISPSD '99 : 149 ~ google schola

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