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- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.1
- 수록면
- 13 - 20 (8page)
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GaN은 III-V족 화합물 반도체로 밴드갭을 조절하는 것이 가능하고 화학적으로 안정하기 때문에 다른 물질에 비해 산성, 염기성 용액에서 부식이 적다. 또한 GaN의 밴드갭이 물의 산화·환원 준위를 포함하고 있어 외부전압 없이 물 분해가 가능하다는 장점이 있다. 하지만 GaN 자체만으로는 태양광-수소 변환 효율(solar-to-hydrogen conversion efficiency, STH)이 낮아 이를 개선하기 위해 최근 활발한 연구가 이루어지고 있다. 본 총설에서는 GaN을 PEC 물분해의 광전극으로 사용하기 위한 방법들과 연구에 대해 정리하였다.
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N. Abas / 2015 / Review of fossil fuels and future energy technologies / Futures 69:31
J. Hansen / 2010 / Global surface temperature change / Rev. Geophys. 48:RG4004
M. E. Mann / 2008 / Proxy-based reconstructions of hemispheric and global surface temperature variations over the past two millennia / PNAS 105(36):13252
A. Fujishima / 1972 / Electrochemical photolysis of water at a semiconductor electrode / Nature 238(5358):37
S. S. Kocha / 1995 / Electrochemical investigation of the gallium nitride-aqueous electrolyte interface / J. Electrochem. Soc. 142(12):L238
J. Hansen / 2010 / Global surface temperature change / Rev. Geophys. 48:RG4004
M. E. Mann / 2008 / Proxy-based reconstructions of hemispheric and global surface temperature variations over the past two millennia / PNAS 105(36):13252
A. Fujishima / 1972 / Electrochemical photolysis of water at a semiconductor electrode / Nature 238(5358):37
S. S. Kocha / 1995 / Electrochemical investigation of the gallium nitride-aqueous electrolyte interface / J. Electrochem. Soc. 142(12):L238
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