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이민웅 (한국원자력연구원) 이남호 (한국원자력연구원) 김종열 (한국원자력연구원) 황영관 (한국원자력연구원) 김영웅 (한국원자력연구원) 송근영 (한국원자력연구원) 조성익 (전북대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2021년도 대한전기학회 정보 및 제어 학술대회 논문집
발행연도
2021.10
수록면
304 - 305 (2page)

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총이온화선량(Total ionizing dose, TID) 효과는 원전이나 우주 환경에서 누적방사선에 의한 전자부품의 성능저하 및 오동작의 피해를 발생시킨다. 특히, CMOS 기반의 집적회로에서 n형 MOSFET은 이러한 TID 효과에 취약한 특성을 갖는다. 누적방사선 증가에 따라 n형 MOSFET는 누설전류가 증가하고 전자 회로 및 장치 전체에 비이상적인 특 ... 전체 초록 보기

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