지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.12 No.4
- 발행연도
- 2017.7
- 수록면
- 1,619 - 1,626 (8page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Electronic components that are used in high-level radiation environment require a semiconductor device having a radiation-hardened characteristic. In this paper, we proposed a radiation-hardened I-gate n-MOSFET (n-type Metal Oxide Semiconductors Field Effect Transistors) using a layout modification technique only. The proposed I-gate n-MOSFET structure is modified as an I-shaped gate poly in order to mitigate a radiation-induced leakage current in the standard n-MOSFET structure. For verification of its radiation-hardened characteristic, the M&S (Modeling and Simulation) of the 3D (3-Dimension) structure is performed by TCAD (Technology Computer Aided Design) tool. In addition, we carried out an evaluation test using a Co<SUB>60</SUB> gamma-ray source of 10k㏉(Si)/h. As a result, we have confirmed the radiation-hardened level up to a total ionizing dose of 20k㏉(Si).
목차
Abstract
1. Introduction
2. Novel I-gate n-MOSFET structure
3. Radiation-hardened Evaluation Test for TID Effects
4. Conclusion
References
참고문헌 (18)
참고문헌 신청
H. M. Hashemian, Maintenance of Process Instrumentation in Nuclear Power Plants: Springer Press, 2006.
T. R. Oldham, “Analysis of damage in MOS devices in several radiation environments,” IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 31, no. 6, pp. 1236-1241, Nov. 1984.
George C. Messenger, and Milton S. Ash, “The Effects of Radiation on Electronic Systems,” Springer Press, May 1992.
H. J. Barnaby, “Total-Ionizing-Dose Effects in Modern CMOS Technologies,” IEEE Trans. Nul. Sci., vol. 53, no. 6, pp. 3103-3120, Dec. 2006.
D. M. Fleetwood, P. S. Winokur, R. A. Reber, T. L. Meisenheimer, J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, and L. C. Riewe, “Effects of oxide traps, interface traps, and ‘border traps’ on metal-oxide-semiconductor devices,” J. Appl. Phys., vol. 73, no. 10, pp. 5058- 5074, May 1993.
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Radiation hard power MOSFET 강건 설계를 위한 셀 구조특성 최적화 연구
한국항공우주학회 학술발표회 초록집
2021 .11
-
SiC MOSFET TID (Total Ionizing Dose) effects 분석
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2023 .04
-
총 이온화 선량 시험에 대한 P 채널 MOSFET의 전기적 특성 변화 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2022 .04
-
저온 열처리를 통한 MOSFETs 소자의 방사선 손상 복구
전기전자재료학회논문지
2024 .09
-
정지궤도 공공복합통신위성 3호 탑재체의 총 이온화 방사선량(TID) 분석
한국항공우주학회 학술발표회 초록집
2023 .06
-
Total Ionization Dose (TID) Effects on 2D MOS Devices
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2021 .01
-
I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석
한국정보통신학회논문지
2016 .10
-
Total Ionizing Dose effect에 따른 Inverter 회로의 동작특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2019 .11
-
TID 효과에 의한 P-MOSFET의 열저항 수치 해석 연구
한국항공우주학회 학술발표회 초록집
2023 .06
-
이온화방사선 차폐 해석을 위한 위성 구조체 모델링
항공우주시스템공학회 학술행사 논문집
2024 .10
-
TID Effect에 따른 FinFET 소자의 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
-
Using machine learning for anomaly detection on a system-on-chip under gamma radiation
Nuclear Engineering and Technology
2022 .11
-
유한 요소 법을 이용한 방사선 조사에 따른 전력 MOSFET의 등가 전기 저항률과 등가 열 전도율 산출
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2022 .12
-
총이온화선량 효과에 내성을 갖는 CMOS NOR 게이트 설계 및 검증
대한전기학회 학술대회 논문집
2021 .10
-
Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 기반 Triple Gate MOSFET과 Gate All Around Nanowire NMOSFET의 성능 비교
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
-
전력 MOSFET용 멀티 게이트 구동 회로 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2017 .07
-
Exploration of Linearity Analysis in Nanotube GAA MOSFET Through Simulation-Based Study Utilizing Multi-Material Gate Technique
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2024 .08
-
MOSFET에서 다결정 실리콘 게이트 막의 도핑 농도가 신뢰성에 미치는 영향
전기전자재료학회논문지
2018 .02
-
Power Switch MOSFET의 Gate를 구동하기 위한 Gate Driver의 Power Loss 분석
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
Vertical GaN Reverse Trench-Gate Power MOSFET and DC-DC Converter
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2021 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-560-000908827