Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 기반 Triple Gate MOSFET과 Gate All Around Nanowire NMOSFET의 성능 비교

문성일; 윤석현; 김정훈; 김소영

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 문성일 (성균관대학교) 윤석현 (성균관대학교) 김정훈 (성균관대학교) 김소영 (성균관대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회

발행연도: 2015.11

수록면: 143 - 146 (4page)

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In the MOSFET technology, the downscaling of the channel length has been big issue between integration and SCEs in decades of years. However, in state-of-art sub-20nm CMOS technology, triple gate FinFET technology is good key to solve this trade off problem and furthermore, gate-all-around (GAA) Nanowire MOSFET is suggested. In this paper, we simulate triple gate MOSFET and GAA nanowire MOSFET based on 3D TCAD simulator Sentaurus. This work is based on InGaAs Compound Semiconductor for better mobility. Then we evaluate and compare SCE parameters of two.

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