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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 105 - 111 (7page)
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In this work, a gate driver is presented that allows to balance the temperature of parallel-connected silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with a closed-loop control. In conventional gate drivers, switching events are often slowed down to avoid unevenly distributed losses of parallel-connected SiC MOSFETs. Due to the reduced switching speed, wide-bandgap (WBG) semiconductor devices are not fully utilized. The presented gate driver selectively delays the individual gate signals of the parallel-connected MOSFETs to influence the switching losses. To balance the temperature of the MOSFETs during operation, a closed-loop control is designed and verified by measurements. The presented gate driver thus enables a balanced stress of parallel-connected MOSFETs and a uniform aging of the MOSFETs. Therefore, the potential of parallel-connected WBG semiconductor devices can be better utilized and a derating of the system is avoided.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. TEST SETUP
III. MEASUREMENTS AND CONTROL DESIGN
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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