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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 3,300 - 3,307 (8page)
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The series-connection of Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) is an attractive way of increasing the blocking voltage capability of a switch. However, due to inherent transient and steady-state voltage imbalance issues, such a design imposes challenges, especially at elevated switching frequencies, where increased dv/dt is required. This paper proposes a hybrid gate driver for series-connected SiC MOSFETs, which consists of a turn-on stage with a traditional Voltage Source Gate Driver (VSGD), and a turn-off sequence with a Current Source Gate Driver (CSGD). The proposed hybrid gate driver has been validated experimentally in two series-connected SiC MOSFETs. Experimental results show voltage balancing within 2% of the total voltage and switching speeds towards 70 kV/μs.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. HYBRID GATE DRIVER CONCEPT
III. SIMULATION RESULTS
IV. DESIGN AND CHARACTERIZATION OF THE COUPLED INDUCTOR
V. EXPERIMENTAL SETUP AND RESULTS
VI. CONCLUSION
REFERENCES
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