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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 63 - 63 (1page)
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This paper presents a design of a gate driver for a SiC-MOSFET with low input capacitance. The gate driver delivers insulated gate voltage to each switch using a small toroidal transformer in consideration of simplification and cost. Additionally, the proposed gate circuit is designed to operate with a variable dead time of detec^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10666499');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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