Inner-Gate-Engineered GAA MOSFET to Enhance the Electrostatic Integrity

Biswajit Jena; Sidhartha Dash; Soumya Ranjan Routray; Guru Prasad Mishra

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자료유형: 학술저널

저자정보: Biswajit Jena (K L Deemed to be University) Sidhartha Dash (Siksha `O' Anusandhan Deemed to be University) Soumya Ranjan Routray (SRM Institute of Science and Technology) Guru Prasad Mishra (National Institute of Technology)

저널정보: 성균관대학교 성균나노과학기술원 NANO NANO Vol.14 No.10

발행연도: 2019.1

수록면: 66 - 73 (8page)

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Gate-all-around (GAA) MOSFETs are the best multi-gate MOSFET structure due to their strong electrostatic control over the channel. The electrostatic controllability can be enhanced further by applying some gate engineering technique to the existing GAA structure. This paper investigates the effect of inner gate (core gate) on the electrostatic performance of conventional GAA MOSFET. The inner gate engineering increases both the electrostatic control and packing density of GAA MOSFET. In this paper, we have presented an inner-gate-engineered (IGE) GAA MOSFET and inspected its advantages over conventional counterparts. The proposed structure exhibits higher I on/I off ratio, low threshold voltage and improved RF performances as compared to the conventional structure. Analytic simulation has been carried out for numerous figures of merit (FOMs) for different technology nodes.

#Gate-all-around (GAA) #inner-gate-engineered (IGE) #figures of merit (FOMs) #radio frequency (RF)

참고문헌 (18)

참고문헌 신청

J. G. Fossum / 2003 / IEEE Electron Device Lett 24:745

B. Yu / 2008 / IEEE Trans. Electron Devices 55:2846

J. P. Colinge / 2007 / Microelectron. Eng 84:2071

C. P. Auth / 1997 / IEEE Electron Device Lett 18:74

J. P. Colinge / 2004 / Solid State Electron 48:897

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Biswajit Jena

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Sidhartha Dash

소속기관 Siksha `O' Anusandhan Deemed to be University

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Soumya Ranjan Routray

소속기관 SRM Institute of Science and Technology

주요연구분야 공학 > 화학공학 > 화학공학 일반

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Guru Prasad Mishra

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