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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.9
- 수록면
- 507 - 511 (5page)
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Various process modifications have been used to minimize SiO2 gate oxide aging in metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistors (MOSFETs). In particular, post-metallization annealing (PMA) with a deuterium ambient can effectively eliminate both bulk traps and interface traps in the gate oxide. However, even with the use of PMA, it remains difficult to prevent high levels of radiation-induced gate oxide damage such as total ionizing dose (TID) during long-term missions. In this context, additional low-temperature heat treatment (LTHT) is proposed to recover from radiation-induced damage. Positive traps in the damaged gate oxide can be neutralized using LTHT, thereby prolonging device reliability in harsh radioactive environments.
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