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스트론튬 루세네이트 (SrRuO₃)의 전극은 페로브스케이트 구조 유전체의 유전 특성을 향상시킬 수 있어 DRAM(Dynamic Random-Access Memory) 에 가장 적합한 전극 재료로 사용되고 있다. 이러한 장점들을 가지고 있는 스트론튬 루세네이트 (SrRuO₃) 박막이 투명 전극(Transparent Conductive Oxide; TCO) 으로의 사용 가능성을 확인해 보기 위해 연구하였다. 본 연구에서, 스트론튬 루세네이트(SrRuO₃) 박막을 유리 기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 상온에서 증착 하였다. 박막의 두께에 따른 광학적 특성과 전기적 특성을 관찰하기 위하여 증착 시간을 5분과 50분으로 설정하여 실험을 진행하였다. 증착 시간이 증가할수록 박막 두께가 5nm에서 68nm로 증가하였고 광 투과율이 80%에서 40%로 감소하였다. 전기적 특성인 비저항은 박막 두께가 증가 하면서 1.99 mΩ·cm 에서 26.3 mΩ·cm 로 증가하였다. 결과적으로, 스트론튬 루세네이트(SrRuO₃) 박막을 유리 기판 위에 5분 증착 하였을 때, 약 80%이상의 투과율과 4.57eV의 밴드 갭, 그리고 1.99 mΩ·cm의 비저항을 보여주었다.
목차
I. 서론
II. 실험 방법
III. 결과 및 토의
IV. 결론
REFERENCES
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