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학술저널
저자정보
김우연 (동의대학교) 제태완 (동의대학교) 나준혁 (동의대학교) 최수민 (동의대학교) 이하린 (동의대학교) 장희연 (동의대학교) 박미선 (동의대학교) 장연숙 (동의대학교) 정은진 ((주)KXT) 강진기 ((주)악셀) 이원재 (동의대학교)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제32권 제1호
발행연도
2022.2
수록면
1 - 6 (6page)
DOI
10.6111/JKCGCT.2022.32.1.001

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2022

PVT 방법에 의한 링 모양의 SiC 단결정 성장
김우연 ,  제태완 ,  나준혁 외 8명 한국결정성장학회지 2022.02 학술저널
PVT법에 의한 링 모양의 SiC 단결정 성장
김우연 신소재공학과 2022.01 학위논문

초록· 키워드

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본 연구에서는 PVT(Physical Vapor Transport) 방법을 이용하여 반도체 식각 공정용 소재로 사용되는 링 모양의SiC(Silicon carbide) 단결정을 제조하였다. 흑연 도가니 내부에 원기둥 형태의 흑연 구조물을 배치하여 PVT법에 의한 링 모양의 SiC 단결정을 성장시켰다. 단결정 기판을 시드로 사용하여 성장한 경우 크랙이 없는 우수한 특성의 포커스링을 얻을수 있었다. 단결정 포커스링과 CVD 포커스링의 에칭 특성을 살펴본 결과 단결정 포커스링의 에칭속도가 줄어들었고, 단결정 포커스링이 우수한 내플라즈마성을 보여준다고 할 수 있다.
#Silicon carbide #Single crystal growth #Focus ring #PVT

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