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Hyeoncheol Kim (Jeonbuk National University) Kyu-Hwan Shim (Jeonbuk National University) Tae Soo Jeong (Jeonbuk National University) Sukill Kang (Jeonbuk National University) Taek Sung Kim (Jeonbuk National University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.18 No.2
발행연도
2022.3
수록면
153 - 158 (6page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s13391-021-00326-4

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The Raman and photocurrent of the GaAsN/GaAs multiple quantum wells (MQWs) was studied. The Raman spectra areobserved to be dominated by the GaAs longitudinal optical (LO) phonon mode as the strongest peaks show up around287?292 cm -1 . Moreover, the weak and broad spectral features in the range of 265?270 cm -1 originate from the peaks associatedwith the GaAs transverse optical (TO) phonon mode. And, the peaks observed in the photoluminescence and thephotocurrent spectra were preliminarily assigned to electron?heavy hole (e 1 ?hh) and electron?light hole (e 1 ?lh) fundamentaltransitions. Two additional transitions related to MQWs region are observed other than transitions involving the ground state. The structural properties of GaAsN/GaAs MQWs were investigated by using high-resolution X-ray diff raction (HRXRD).

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