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자료유형
학술저널
저자정보
백종훈 (충남대학교) 조영준 (충남대학교) 장효식 (충남대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제5호
발행연도
2018.7
수록면
341 - 344 (4page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.5.341

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실리콘 태양전지의 고효율화를 위해서는 실리콘 계면에서의 전기적 손실을 최소화하는 패시베이션 특성이 요구된다. 본 논문에서는 오존에 의해 형성된 산화막의 터널 실리콘 산화막으로서 적용가능성을 평가하였다. 먼저, 오존 산화의 조건 가변을 통해 실리콘 산화막을 제작하고, 기존 질산용액에 의해 형성된 산화막과 특성을 비교했다. 오존 산화는 17.5 wt%의 오존농도에서 300~500℃의 온도 가변을 통해 최적화된 산화막 조건을 찾았고, 질산에 의해 형성된 산화막과 패시베이션 효과를 비교 분석하였다. 기존에 형성시킨 실리콘 산화막 특성과 비교하였을때, 질산 산화에 의해 형성된 산화막보다 오존 산화에서 의해 형성된 산화막의 iVoc(implied open circuit voltage)가 약 20mV 향상되었고, 질산 전처리 후 오존 산화에 의해서 형성된 산화막 약 30mV의 향상을 보였다.
#Silicon oxide #Ozone oxidation #Passivation #TOPCon

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A. G. Aberle / 2000 / Prog. Photovoltaics 8:473 Crossref M. A. Green / 2009 / Prog. Photovoltaics: Process. Res. Appl. 17:183 Crossref T. Matsumoto / 2015 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 134:298 Crossref S. D. Wolf / 2005 / J. Appl. Phys. 97:063303 Crossref R. Hezel / 1989 / J. Electrochem. Soc. 136:518 Crossref

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