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정진표 (포항공과대학교) 고형민 (포항공과대학교) 양석주 (포항공과대학교) 박혁 (포항공과대학교) 서태원 (포항공과대학교) 김승모 (포항공과대학교) 이병훈 (포항공과대학교) 조길원 (포항공과대학교) 정윤영 (포항공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
161 - 164 (4page)

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By incorporation of PM6:Y6 bulk heterojunction to the IGZO transistor, a hybrid phototransistor with ultrahigh photoresponsivity and specific detectivity is realized in this paper. A comprehensive study on parameters affecting the device performance was conducted, and the parameters were optimized to achieve maximum performance. As a result, our PM6:Y6/IGZO hybrid phototransistor exhibited excellent performance, with an ultrahigh photoresponsivity of 2.2×10<SUP>8</SUP> A W<SUP>-1</SUP> and specific detectivity of 9.8 × 10<SUP>16</SUP> Jones under light intensity at only 1.03 nW cm<SUP>-2</SUP>.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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