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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박소민 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 정성진 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 최지원 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 김영국 (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제36권 제1호
발행연도
2023.1
수록면
49 - 55 (7page)

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The deposition of indium zinc oxide (IZO) thin films was carried out on substrate at room temperature by RF magnetron sputtering. The effects of substrate temperature, RF power and deposition pressure were investigated with respect to physical and optical properties of films such as deposition rate, electrical properties, structure, and transmittance. As the RF power increases, the resistivity gradually decreases, and the transmittance slightly decreases. For the variation of deposition pressure, the resistivity greatly increases, and the transmittance is decreased with increasing deposition pressure. As a result, it was demonstrated that an IZO film with the resistivity of 3.89×10-4Ω∙cm, the hole mobility of 51.28 cm2/Vs, and the light transmittance of 86.89% in the visible spectrum at room temperature can be prepared without post-deposition annealing.
#Transparent conductive oxide #Indium zinc oxide #Indium tin oxide #High mobility #Solar cell

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