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허효주 (Korea University) 신연우 (Korea University) 손재민 (Korea University) 류승호 (Korea University) 조경아 (Korea University) 김상식 (Korea University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제27권 제4호
발행연도
2023.12
수록면
51 - 57 (7page)

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본 연구에서는 더블게이트 실리콘 나노시트 (SiNS) 피드백 전계효과 트랜지스터(FBFET)의 전기적 특성에 열처리가 미치는 영향을 분석하였다. 1000 초 동안 바이어스 스트레스를 인가했을 때 더블게이트 SiNS FBFET는 inversion layer의 전자에 의한 계면 트랩의 증가로 인해 채널 모드와 무관하게 negative bias stress 보다는 positive bias stress의 영향을 더 많이 받았다. 300 ℃에서 10 분 동안 열처리를 진행한 이후 소자는 원래의 특성을 완전히 회복하였으며 다시 1000 초 동안 바이어스 스트레스를 인가해도 특성이 변하지 않았다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

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