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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.11
- 수록면
- 473 - 476 (4page)
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By scaling down electronic devices, the thickness of the metal thin films also becomes thinner, leading to a significant increase in resistivity. In this study, Bipolar High Power Impulse Magnetron Sputtering applied to reduce the resistivity of Ag thin film that is the lowest resistivity metal used in various electronic devices.
After Ag deposition using Bipolar HiPIMS Technique, we compare the grain size and surface morphology through XRD and AFM analysis. The correlation with resistivity is interpreted using the Fuchs-Sondheimer and the Mayadas-Shatzkes model. Finally, we compare and evaluate the power types (DCMS, HiPIMS, Bipolar HiPIMS) for the deposition of low-resistivity ultra-thin films, through which we investigate the effectiveness of the Bipolar HiPIMS technique.
After Ag deposition using Bipolar HiPIMS Technique, we compare the grain size and surface morphology through XRD and AFM analysis. The correlation with resistivity is interpreted using the Fuchs-Sondheimer and the Mayadas-Shatzkes model. Finally, we compare and evaluate the power types (DCMS, HiPIMS, Bipolar HiPIMS) for the deposition of low-resistivity ultra-thin films, through which we investigate the effectiveness of the Bipolar HiPIMS technique.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론 및 향후 연구방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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