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4H-SiC 소자의 JTE 구조 및 설계 조건 변화에 따른 항복전압 분석
전기전자학회논문지
2015 .12
다열 공간변조 모서리 종단 기술을 이용한 2.3kV급 4H-SiC 다이오드 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
1700V급 4H-SiC 쇼트키 다이오드를 위한 Edge Termination (Single/Double Zone JTE)의 항복전압 특성
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
MFZ-JTE를 적용한 6.5㎸급 SiC 전력반도체 설계
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
6.5 kV SiC Power Devices with Improved Blocking Characteristics against Process Deviations
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2021 .04
공정 산포에 강한 1.2 kV급 SiC MOSFET 설계
전기학회논문지
2022 .06
4H-SiC JBS Diode의 Schottky면적에 따른 전기적 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
공정 산포에 대한 영향 최소화를 위한 고성능 SiC 전력반도체 설계 개발
대한전기학회 학술대회 논문집
2021 .07
SiC 쇼트키 배리어 다이오드의 작동 환경에 따른 와이어 응력 해석
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2020 .11
Design and Fabrication of 1.2 kV/10A 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes with High Current Density
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2021 .01
4H-SiC SBD와 JBS 소자의 Deep Level Defect 비교 분석
전기전자재료학회논문지
2021 .01
4H-SiC JBS Diode의 전기적 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2018 .09
3.3kV SiC 전력 MOSFET의 최적화에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .07
1.2 kV SiC MOSFET 감마선 조사 영향 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .10
1.2 kV SiC MOSFET의 감마선 조사 환경에서의 바이어스 효과
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
차세대 고전력 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
게이트 버퍼 산화막을 활용한 1.2 kV SiC MOSFET 구조 개선 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2022 .07
대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성
반도체디스플레이기술학회지
2015 .01
핵융합로 디버터 대면재의 W 접합부 미세조직과 마이크로경도 측정
대한기계학회 논문집 A권
2017 .12
Design Optimization and Performance Analysis of a Three-Phase Three-Level MVDC Bidirectional Isolator using Series-Connected 10kV SiC MOSFETs and 10kV SiC JBS diodes
ICPE(ISPE)논문집
2023 .05
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