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4H-SiC 소자의 JTE 구조 및 설계 조건 변화에 따른 항복전압 분석
전기전자학회논문지
2015 .12
3.3 kV 급 SiC 접합 장벽 쇼트키 다이오드의 JTE 구조에 대한 연구
한국정보통신학회 종합학술대회 논문집
2024 .05
6.5 kV SiC Power Devices with Improved Blocking Characteristics against Process Deviations
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2021 .04
다열 공간변조 모서리 종단 기술을 이용한 2.3kV급 4H-SiC 다이오드 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
MFZ-JTE를 적용한 6.5㎸급 SiC 전력반도체 설계
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
공정 산포에 대한 영향 최소화를 위한 고성능 SiC 전력반도체 설계 개발
대한전기학회 학술대회 논문집
2021 .07
P-base dose 산포에 강한 3.3 ㎸ SiC PiN 다이오드의 edge termination 구조 설계 및 제작
대한전기학회 학술대회 논문집
2024 .07
이온주입을 활용한 3.3㎸ 급 SiC PiN diode의 Edge Termination 설계
대한전기학회 학술대회 논문집
2024 .07
SiC 쇼트키 배리어 다이오드의 작동 환경에 따른 와이어 응력 해석
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2020 .11
4H-SiC Schottky Barrier Diode Using Double-Field-Plate Technique
전자공학회논문지
2016 .07
6.5 ㎸급 SiC 전력반도체용 마감구조 설계
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
4H-SiC 항복전계 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
공정 산포에 강한 1.2 kV급 SiC MOSFET 설계
전기학회논문지
2022 .06
4H-SiC MPS 다이오드의 P 영역 최적화에 관한 연구
전기전자학회논문지
2016 .06
Silicon carbide 트렌치 모스펫 종단영역 항복전압 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2020 .07
대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성
반도체디스플레이기술학회지
2015 .01
핵융합로 디버터 대면재의 W 접합부 미세조직과 마이크로경도 측정
대한기계학회 논문집 A권
2017 .12
고순도 SiC 파우더를 이용한 반절연 SiC 단결정 성장
전기전자재료학회논문지
2019 .01
SiC Module의 Double Pulse Test를 통한 전력 손실 분석
전력전자학회 학술대회 논문집
2024 .07
SiC/SiC 복합재료의 피로거동
대한기계학회 춘추학술대회
2015 .04
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