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저자정보
이영석 (성균관대학교) 오동현 (성균관대학교 전기전자컴퓨터공학과) 박형식 (아주대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials Vol.25 No.4
발행연도
2024.8
수록면
507 - 511 (5page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-024-00540-5

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We present a very simple process to fabricate silicon heterojunction back contact (HBC) solar cell. This process can easily form a backside structure using in situ masks without particular patterning process. Based on our silicon heterojunction (SHJ) solar cell process conditions, we optimize the process for HBC solar cell. The intrinsic a-Si: H layer and p-type a-Si: H layer process conditions were adjusted to improve to FF and efficiency. Applying these adjust, we obtained 18.1% efficiency of the HBC solar cell with V OC of 684 mV, J SC of 38.3 mA/cm 2 , FF of 69.1%. The key factors affecting FF and performance of the HBC solar cell are also discussed.

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