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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
임채혁 (Chonnam National University) 이명진 (Chonnam National University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제29권 제1호
발행연도
2025.3
수록면
113 - 117 (5page)

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AI 및 IoT 기술 발전으로 데이터 양이 급증하면서 기존 폰 노이만 구조의 데이터 이동 병목 현상을 극복하기 위해 Compute in Memory(CIM)이 제안되었다. CIM에서 활용되는 Gain-Cell eDRAM(GC-eDRAM)은 높은 집적도와 전력 효율성으로 주목받으며, 연산 중 지속적인 데이터 유지를 위해 저전력 환경에서도 충분한 Data Retention Time(DRT) 확보가 필수적이다. 본 연구에서는 4T gain cell의 내부 피드백 트랜지스터(MF)의 W/L ratio가 DRT에 미치는 영향을 분석하고 최적의 W/L ratio를 도출하였다. 실험 결과, 최적 W/L ratio에서 W/L ratio가 4일 때와 비교했을 때 data ‘0’의 DRT는 13.8% 감소했으나, data ‘1’의 DRT는 20.9% 증가하여 data ‘1’의 유지 시간을 극대화하면서도 data ‘0’의 안정성을 확보할 수 있음을 확인하였다.
#Low-Power #Compute in Memory #Gain cell eDRAM #Data retention time #Process Variation

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
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