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저자정보
이지원 (광운대학교) 채주형 (광운대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2022년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2022.11
수록면
493 - 496 (4page)

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In this paper, the DRT characteristics are compared based on simulation considering the PVT variation of 2T GC-eDRAM. The proposed structure was analyzed for the characteristics commonly shown through a total of 144 overall simulations through Hspice. When the waveform is measured after giving the environment of the worst case in Hspice, the dominant current change and DRT are different for each characteristic. As a common conclusion to this, the conclusion that data loss at low supply voltage and temperature is slow is shown in the paper below.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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