MeV 이온주입에 의한 $P^{+}$ Buried Layer 형성시 발생하는 결함에 관한 연구

유승한 ,  장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

MeV 이온주입된 실리콘의 열처리시 불순물과 이차결함간의 상호작용

장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

MeV 이온빔 분석 기술

김태곤 ,  송종한

고분자 과학과 기술

2003 .02

실리콘에 MeV로 이온주입된 As 와 Sb의 profile과 열처리에의한 이온의 거동에 관한 연구 ( A Study of Profiles and annealing behavior of As and Sb by MeV implantation in silicon )

정원채

전자공학회논문지-D

1998 .03

MeV 이온주입에 의해 형성된 Retrograde Triple well에서 발생하는 결함들의 상호작용

류한권 ,  김대영 ,  노재상 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

MeV $B^+$ 이온주입에 의한 Self-Gettering 효과

조남훈 ,  허태훈 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

A Critical Behavior of Defect Density as a Function of Ion Dose During the Buried Layer Formation Using 1.5 MeV B Implantations

Yoon Taek Jang ,  Tae Hoon Huh ,  Jae Sang Ro

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )

김광일 ,  권영규 ,  정욱진 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

A Study on the Defects in the Fabrication of CMOS Retrograde Well Including A Buried Layer Using MeV Ion Implantation

장윤택 ,  허태훈 ,  유승한 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

1MeV 고에너지로 붕소(Boron)와 인(Phosphorus)을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Effects of 1 MeV $C^+$ irradiation on the magnetic properties of $Ni(60{\AA})/Cu/Si(100)$

Lee ,  J.H. ,  Shin 외 9명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

암 치료용 6MeV X-band 가속기 설계

신동원 ,  전석기 ,  김정일 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2014 .02

Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )

김광일 ,  이상환 ,  정욱진 외 4명

전자공학회논문지-A

1994 .08

1MeV 인 이온 주입시 RTA에 의한 미세결함 특성과 latch-up 면역에 관한 구조 연구

노병규 ,  윤석범

전기전자학회논문지

1998 .08

Si 이온주입결함이 B의 channeling 및 확산에 미치는 영향

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Si 이온주입결함이 B 의 channeling 및 확산에 미치는 영향 ( Effects of Si Ion Induced Defects on Channeling and Diffusion on B )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

고에너지 이온주입 공정에 의한 유기 결함과 그 감소 대책

김영호 ,  김인수 ,  김창덕 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

Study on Microdefect Characteristics Analysis by RTA in 1MeV P Ion Implantation for High Memory Devices

Byeong Gyu Roh ,  Hee Won Kang ,  So Haeng Cho 외 3명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

실리콘에 붕소의 고에너지 이온주입에 의한 농도분포에 관한 연구

정원채

전기전자재료학회논문지

2002 .01