단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성 ( NDR Characteristics of Resonant Interband Tunneling Diodes with Single Quantum Well Structure )

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

단일양자 우물구조로 된 InGaAs/InAlAs의 밴드간 공명 터널링 다이오드에 관한 연구

김성진 ,  박영석 ,  이철진 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07

n+ ―p ― p+ 다이오드의 전압 전류 특성 해석 ( The J-V characteristics of n+ ―p ― p+ diodes )

이미희 ,  장호수 ,  이상조 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

The Current-Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Using a Self-Consistent Method

金成振 ,  李尙勳 ,  成英權

전기학회논문지

1993 .12

AlGaAs / GaAs 단일양자 우물구조에서 경사형 포텐셜 모델을 이용한 공명 터널링 현상에 관한 해석 ( Analysis of the Resonant Tunneling in an AlGaAs / GaAs Single Quantum Well Structure Using a Tilted-Potential Model )

김성진 ,  이경윤 ,  김상욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

스페이서층 두께변화에 따른 공명터널링 다이오드에서 전류 - 전압 특성의 자기무모순법에 의한 해석 ( Dependence of the Thickness of Spacer Layers on the Current Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Analyzed with a Self-Consistent Method )

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

전자공학회논문지-A

1994 .03

공명투과다이오드를 이용한 논리회로의 응용 연구 ( Study for Digital Logic Circuit Using Resonant Tunneling Diodes )

추혜용 ,  박병운 ,  이창희 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .02

Self-Consistent 법에 의한 AlGaAs / GaAs의 이중양자우물 구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석 ( Static I-V Characteristics of DQW Resonant Tunneling Diodes with AlGaAs / GaAs Structure Simulated by a Self-Consistent Method )

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

이중장벽 공명투과 다이오드의 물성

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

이중장벽 공명투과 다이오드의 물성 ( Physical Properties of Double Barrier Resonant Tunneling Diode )

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Winger 분포 함수 모델을 이용한 공명 터널링 다이오드의 해석 ( Analysis of Resonant-Tunneling Diode Using Wigner Distribution Function Model )

권택정 ,  이병호

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

양자우물 레이저 다이오드의 등가회로 모델 ( An Equivalent Circuit Model for Quantum Well Laser Diodes )

이승우 ,  김대욱 ,  최우영

전자공학회논문지-D

1998 .01

AlGaAs/GaAs 단일양자우물 구조에서 Airy 함수를 이용한 공명터널링 현상에 관한 고찰 ( Analysis of the Resonant Tunneling in an AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Structure by an Airy Function Approach )

김성진 ,  이경윤 ,  이헌용 외 1명

전자공학회논문지-A

1992 .01

반도체 양자 우물 레이저에서 양자 구조 효과의 연구 ( Effect of Quantum Structure on Semiconductor Quantum Well Laser )

박성수 ,  안도열 ,  권오대

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

양자우물 레이저 다이오드에서 스트라이프 폭이 문턱전류에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Effect of the Stripe Width on Threshold Current in Quantum Well Laser Diodes )

이성재

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

LC 공진 특성을 이용한 공명 터널링 다이오드에서의 capacitance 측정

曺重烈

전기학회논문지

1998 .01

AlGaAs 양자우물 레이저 다이오드 구조 설계 및 분석

추성중 ,  박문호 ,  박정호

대한전자공학회 학술대회

2013 .07

Self-Consistent 법에 의한 AIGaAS/GaAs의 이중양자우물구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

빛에 의한 공명투과다이오드 진동자의 주파수 변조 특성 ( Optical Modulation Charateristics of Resonant Tunneling Diode Oscillator )

추혜용 ,  이일항

전자공학회논문지-A

1996 .10