스페이서층 두께변화에 따른 공명터널링 다이오드에서 전류 - 전압 특성의 자기무모순법에 의한 해석 ( Dependence of the Thickness of Spacer Layers on the Current Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Analyzed with a Self-Consistent Method )

김성진; 이상훈; 성영권

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김성진 이상훈 성영권

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-A 전자공학회논문지 A편 제31권 제3호

발행연도: 1994.3

수록면: 283 - 289 (7page)

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1997

단일 양자 우물 구조로 된 밴드간 공명 터널링 다이오드의 전류 - 전압 특성 ( I - V Characteristics of resonant interband tunneling diodes with single quantum well structure )

김성진 , 박영석 전자공학회논문지-D 1997.04 학술저널

1996

단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성

김성진 , 이상훈 , 성영권 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료

단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성 ( NDR Characteristics of Resonant Interband Tunneling Diodes with Single Quantum Well Structure )

김성진 , 이상훈 , 성영권 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료

단일양자 우물구조로 된 InGaAs/InAlAs의 밴드간 공명 터널링 다이오드에 관한 연구

김성진 , 박영석 , 이철진 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 1996.07 학술대회자료

1994

스페이서층 두께변화에 따른 공명터널링 다이오드에서 전류 - 전압 특성의 자기무모순법에 의한 해석 ( Dependence of the Thickness of Spacer Layers on the Current Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Analyzed with a Self-Consistent Method )

김성진 , 이상훈 , 성영권 전자공학회논문지-A 1994.03 학술저널

1993

Self-Consistent 법에 의한 AlGaAs / GaAs의 이중양자우물 구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석 ( Static I-V Characteristics of DQW Resonant Tunneling Diodes with AlGaAs / GaAs Structure Simulated by a Self-Consistent Method )

김성진 , 김종관 , 허윤종 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1993.07 학술대회자료

1992

AlGa / GaAs 이중양자우물구조에서 순차적인 터널링 과정에 의한 전류-전압특성 ( Current-Voltage Characteristics of a Double Quantum Well With AlGaAs / GaAs Structure by a Sequential Tunneling Process )

김성진 , 이헌용 , 성영권 대한전자공학회 학술대회 1992.07 학술대회자료

AlAs/GaAs 이중양자우물구조에서 순차적인 터널링과정에 의한 전류-전압 특성

김성진 , 이헌용 , 성영권 대한전자공학회 학술대회 1992.06 학술대회자료

AlGaAs/GaAs 단일양자우물 구조에서 Airy 함수를 이용한 공명터널링 현상에 관한 고찰 ( Analysis of the Resonant Tunneling in an AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Structure by an Airy Function Approach )

김성진 , 이경윤 , 이헌용 외 1명 전자공학회논문지-A 1992.01 학술저널

1991

AlGaAs / GaAs 단일양자 우물구조에서 경사형 포텐셜 모델을 이용한 공명 터널링 현상에 관한 해석 ( Analysis of the Resonant Tunneling in an AlGaAs / GaAs Single Quantum Well Structure Using a Tilted-Potential Model )

김성진 , 이경윤 , 김상욱 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1991.11 학술대회자료

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소속기관

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