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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1996.7
- 수록면
- 1,456 - 1,458 (3page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (10)
1996
단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성
김성진
,
이상훈
,
성영권
대한전자공학회 학술대회
1996.11
학술대회자료
단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성 ( NDR Characteristics of Resonant Interband Tunneling Diodes with Single Quantum Well Structure )
김성진
,
이상훈
,
성영권
대한전자공학회 학술대회
1996.11
학술대회자료
단일양자 우물구조로 된 InGaAs/InAlAs의 밴드간 공명 터널링 다이오드에 관한 연구
김성진
,
박영석
,
이철진
외 1명
대한전기학회 학술대회 논문집
1996.07
학술대회자료
1992
AlGa / GaAs 이중양자우물구조에서 순차적인 터널링 과정에 의한 전류-전압특성 ( Current-Voltage Characteristics of a Double Quantum Well With AlGaAs / GaAs Structure by a Sequential Tunneling Process )
김성진
,
이헌용
,
성영권
대한전자공학회 학술대회
1992.07
학술대회자료
AlAs/GaAs 이중양자우물구조에서 순차적인 터널링과정에 의한 전류-전압 특성
김성진
,
이헌용
,
성영권
대한전자공학회 학술대회
1992.06
학술대회자료
AlGaAs/GaAs 단일양자우물 구조에서 Airy 함수를 이용한 공명터널링 현상에 관한 고찰 ( Analysis of the Resonant Tunneling in an AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Structure by an Airy Function Approach )
김성진
,
이경윤
,
이헌용
외 1명
전자공학회논문지-A
1992.01
학술저널
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목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 구조 및 동작 원리
Ⅲ. 소자 제작 및 실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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단일 양자 우물 구조로 된 밴드간 공명 터널링 다이오드의 전류 - 전압 특성 ( I - V Characteristics of resonant interband tunneling diodes with single quantum well structure )
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1997 .03
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InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistor에서 InGaAs 선택 에칭 공정에 관한 연구
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1999 .01
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단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성 ( NDR Characteristics of Resonant Interband Tunneling Diodes with Single Quantum Well Structure )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
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Rf-enhanced InGaAs/InAlAs Uni-traveling-carrier Photodetector
한국통신학회 기타 간행물
2004 .11
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2차원 Poisson방정식 풀이에 의한 단 채널 InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델
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2007 .05
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Fabrication and Characterization of 0.2μm InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT’s with Inverse Step-Graded InAlAs Buffer on GaAs Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2001 .06
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높은 fmax 를 갖는 InGaAs/InAlAs MHEMT 의 Pad 설계
대한전자공학회 학술대회
2005 .11
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Electrical Characteristics of InAlAs/InGaAs/InAlAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors under Sub-Bandgap Photonic Excitation
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2003 .09
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Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향
[ETRI] 전자통신동향분석
2000 .12
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InAlAs / InGaAs HBT 에서 에미터의 접합 조성경사가 전자의 비평형 고속전송에 미치는 영향 ( Effect of Emitter Junction Grading on Electron Nonequilibrium Transport in InAlAs / InGaAs HBT )
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
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A p-Type InGaAs-InAlAs Coupled Quantum Well Structur with Broader Absorption Spectrum
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
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Ultra-high speed Internal RF-gain InGaAs/InAlAs Avalanche photodetector
한국통신학회 기타 간행물
2004 .11
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1995 .01
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대한전자공학회 학술대회
1996 .11
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InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
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1989 .01
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1994 .10
이 논문의 저자 정보
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단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성
김성진
,
이상훈
,
성영권
대한전자공학회 학술대회
1996
.11
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