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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.4
- 수록면
- 1,407 - 1,411 (5page)
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Due to the heat confinement in the shallow region of the target for a short time scale, pulsed laser
annealing has received increasing interest for the fabrication of poly-Si thin film transistors(TFTs) on
glass as a low cost substrate in the flat panel displays. The formation and growth mechanisms of poly
silicon(poly-Si) grains in thin films are investigated using an excimer laser crystallization system. To
understand the crystallization mechanism, the grain formations are observed by FESEM analysis. The
optical reflectance and transmittance during the crystallization process are measured using HeNe laser
optics. A two-step ELC(Excimer Laser Crystallization) process is applied to enhance the grain formation
uniformity.
annealing has received increasing interest for the fabrication of poly-Si thin film transistors(TFTs) on
glass as a low cost substrate in the flat panel displays. The formation and growth mechanisms of poly
silicon(poly-Si) grains in thin films are investigated using an excimer laser crystallization system. To
understand the crystallization mechanism, the grain formations are observed by FESEM analysis. The
optical reflectance and transmittance during the crystallization process are measured using HeNe laser
optics. A two-step ELC(Excimer Laser Crystallization) process is applied to enhance the grain formation
uniformity.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험장치 및 방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
후기
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