고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capacitance 변화 분석

지희환; 한인식; 박성형; 김용구; 이희덕

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자료유형: 학술저널

저자정보: 지희환 한인식 박성형 김용구 이희덕

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제5호

발행연도: 2005.5

수록면: 47 - 54 (8page)

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본 논문에서는 Crosstalk에 의한 coupling capacitance의 변화량, △Cc이 기본값인 Cc보다 더 커질 수 있음을 제안한 테스트 회로를 이용하여 실험적으로 증명하였다. 또한 △Cc가 Aggressive line의 위상에 매우 의존함을 보였으며 위상이 같은 경우보다 반대인 경우에 △Cc 가 크게 됨을 보였다. 실험 결과의 타당성을 검증을 위해 HSPICE 시뮬레이션을 수행하여 실험치와 잘 맞음을 나타내었다.

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[학술지(정기간행물)] - S. K. H. Fung / 2004 / in Tech. Symposium of VLSI Technology : 92 ~ 93

[학술지(정기간행물)] - H. D. Lee / May2000. / On-Chip Characterization of Interconnect Parameters and Time Delay in 0.18 um CMOS Technology for ULSI Circuit Applications 46 (5) : 1073 ~ 1079

[학술지(정기간행물)] - D. H. Cho / 1996 / and Signal Delay for 0.35 mm CMOS Technology : 619 ~ 622

[학술지(정기간행물)] - M. T. Bohr / pp.241-244 / Interconnect Scaling The Real Limiter to High Performance ULSI : 1995 ~

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