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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第6號
발행연도
2007.6
수록면
8 - 18 (11page)

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본 논문에서는 PoRAM의 4bit 셀 어레이 구조와 이를 동작시키기 위한 센싱 방법에 대해서 연구하였다. PoRAM은 기존의 SRAM이나 DRAM과는 다른 동작을 취한다. PoRAM 소자의 상단전극과 하단전극에 전압을 가했을 때 저항 성분 변화에 따른 셀에 흐르는 전류를 측정하여 상태를 구분한다. 셀 어레이의 새로운 어드레싱 방법으로, 행-디코더는 “High”, 열-디코더는 “Low”로 선택하여, 셀에 해당하는 전류가 워드라인에서 비트라인으로 흐르게 하였다. 이때 흐르는 전류를 큰 값으로 증폭시켜 원하는 값을 얻고자 전압 센스 앰플리파이어를 사용한다. 이는 전압 센싱 방법인 전류 미러를 이용한 1단 차동 증폭기를 사용한다. 전압 센스 앰플리파이어에서 증폭을 시켜주기 위해 셀에서 측정된 전류 값을 전압 값으로 변환시켜주는 장치가 필요하다. 1단 차동 증폭기 입력 단에 소자 저항인 diode connection NMOS을 달아주었다. 이를 사용함으로써 전류 값과 저항값의 곱으로 나타내어진 입력값(Vin)과 기준전압(Vref)을 비교하여 지우기 상태일 경우에는 “Low”, 쓰기 상태일 경우에는 “High”로 증폭되는 것을 확인했다.
#Nonvolatile Memory #PoRAM #Decoder #Sense Amplifier

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. PoRAM의 단일 셀 구조
Ⅲ. 센스 앰플리파이어
Ⅳ. 셀 어레이 구조
Ⅴ. 결론
참고문헌
저자소개

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1. [학술지(정기간행물)] - / 2004 / Future Memory Technology including Emerging New Memories : 377 ~ 384 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / / International Technology Roadmap of Semiconductor Device google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / 1.8-V Nanospeed R/W Module for 64-kB Cross-Point Cell Magnetic Random Access Memory 41 (2) : 909 ~ 911 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / A New Single Ended Sense Amplifier for Low Voltage Embedded EEPROM Non Volatile Memories google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / 2004 / A 4Mb 0.18 /spl mu/m 1T1MTJ Toggle MRAM memory 1 : 44512 ~ google schola

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