지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.2
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 111 - 114 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
We studied the influence of nanocrystalline silicon (nc-Si) thin film thickness on top gate nc-Si thin film transistor (TFT) fabricated at 180 ℃. The nc-Si thickness affects the characteristics of nc-Si TFT due to the nc-Si growth similar to a columnar. As the thickness of nc-Si increases from 40 ㎚ to 200 ㎚, the grain size was increased from 20 ㎚ to 40 ㎚. Having a large grain size, the thick nc-Si TFT surpasses the thin nc-Si TFT in terms of electrical characteristics such as field effect mobility. The channel resistance was decreased due to growth of the grain. We obtained the experimental results that the field effect mobility of the fabricated devices of which nc-Si thickness is 60, 90 and 130 ㎚ are 26, 77 and 119 ㎠/Vsec, respectively. The leakage current, however, is increased from 7.2×10?¹? to 1.9×10?? A at V<SUB>GS</SUB>=-4.4 V when the nc-Si thickness increases. It is originated from the decrease of the channel resistance.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENT
Ⅲ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Development of nanocrystalline silicon thin film transistors with low-leakage and high stability for AMOLED displays
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2006 .01
-
The Study of Nanocrystalline Silicon Bottom-gate Thin Film Transistor Fabricated at Low Temperature for Flexible Display
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2009 .01
-
Electrical and Photoluminescence Characteristics of Nanocrystalline Silicon-Oxygen Superlattice for Silicon on Insulator Application
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
2002 .10
-
Microstructure and Physical Properties of Sputtered Metal Containing Nanocrystalline Structured Carbon Coatings
한국표면공학회지
2007 .04
-
Neutralization of an oxidized sensitizer by an in situ-generated ionic layer of I- species on a nanocrystalline TiO₂ electrode
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2015 .04
-
Sintering Kinetics of Nanocrystalline Titanium Powders
한국재료학회 학술발표대회
2006 .01
-
P-Channel Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
-
극저온(150℃)에서 ICP-CVD로 증착한 Nanocrystalline-Si 박막
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .11
-
Silicon Thin-film Transistors on Flexible Foil Substrates
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2002 .01
-
RF 바이어스가 수소화된 나노결정실리콘 박막에 미치는 영향
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .05
-
Pt/HfSixOy/Silicon 구조의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
-
Residual stress on nanocrystalline silicon thin films deposited with substrate biasing at low temperature
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2009 .01
-
Synthesis of Nanocrystalline TiO₂ Particles from Titanium Tetra-Isopropoxide
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
-
MA 방법으로 제조된 Nanocrystalline Al-Ti합금의 부식거동
한국표면공학회 학술발표회 초록집
1998 .05
-
ZnO/나노결정다이아몬드 적층 박막 SAW 필터
한국표면공학회지
2009 .10
-
기계적합금화방법으로 제조된 Al-Ti계 합금의 Nanocrystalline 고온산화거동
한국표면공학회 학술발표회 초록집
1997 .05
-
기계적 합금화법을 이용한 $Ll_2(Al+X)_3Ti$(X=Cu, Co, Ni) 초미립 금속간 화합물의 제조에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
-
졸-겔법을 이용한 Nanocrystalline $TiO_2$염료감응 태양전지에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
드레인 전압 바이어스에 대한 미세결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 안정성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .07
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-014815742