소자파라미터에 따른 DGMOSFET의 항복전압분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .02

Instability of Optically-Gated High-Voltage P-I-N Diode Switches

Nam Ki Min ,  Suk In Hong ,  Ghul Goo Kang

Journal of Electrical Engineering and information Science

2000 .04

InP 다이오드에서 항복전압의 해석적 모델

정용성

전자공학회논문지-IE

2007 .03

이중 에피층을 갖는 쇼트키 다이오드의 항복전압 모형

정진영 ,  한승엽 ,  정상구 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07

실리콘 나노와이어 N-채널 GAA MOSFET의 항복특성

류인상 ,  김보미 ,  이예린 외 1명

한국정보통신학회논문지

2016 .09

10 nm 이하 DGMOSFET의 항복전압과 채널도핑농도의 관계

정학기

한국정보통신학회논문지

2017 .06

A Gate Driver for High Voltage Thyristor Diode Switch

W.H.Kim ,  I.Kang ,  J.S.Kim 외 5명

ICPE(ISPE)논문집

1998 .10

GIDL Current Modulation in a Gated Diode Synaptic Device with High-K Gate Stack

Min Kyu Pa ,  k ,  Jong-Ho Bae 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

600 V급 IGBT Single N+ Emitter Trench Gate 구조에 따른 전기적 특성

신명철 ,  육진경 ,  강이구

전기전자재료학회논문지

2019 .01

원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산

김두영 ,  김한수 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1994 .07

펀치드루 다이오드의 평면형 항복전압에 대한 해석적인 모형

崔然益 ,  朴日用

전기학회논문지

1996 .07

DGMOSFET의 전도중심과 항복전압의 관계

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .04

N+P+P-N+ 구조를 가진 Punch-through 다이오드의 항복전압 특성

송세원 ,  정상구 ,  최연익

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .11

이중게이트 MOSFET의 채널구조에 따른 항복전압 변화

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .03

이중 에피층을 갖는 Schottky 다이오드의 항복전압에 대한 해석적인 모델링

鄭鎭榮 ,  韓承燁 ,  崔然益 외 1명

전기학회논문지

1996 .12

6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현

정용성

전자공학회논문지-SD

2009 .06

높은 항복전압을 위한 최적 계단산화막의 쇼트키 다이오드 ( The Schottky Diode of Optimal Stepped Oxide Layer for High Breakdown Voltage )

이용재 ,  이문기 ,  김봉렬

전자공학회논문지

1986 .07

RESURF PB 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현

신진철 ,  라경만 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

GaAs 쇼트키 다이오드의 항복전압 모델링

朴日用 ,  崔然益

전기학회논문지

1998 .08

원통형 접합 펀치쓰루 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 모델링

金杜泳 ,  金翰秀 ,  韓民九 외 1명

전기학회논문지

1996 .05